项目名称：株洲中车时代半导体有限公司碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目第一阶段（新能源汽车用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片产业化项目）竣工环境保护验收报告
性质：改扩建
建设单位：株洲中车时代半导体有限公司
建设地点：株洲市石峰区井龙街道田心工业园时代路，现有#301碳化硅厂房内
环境影响报告表编制单位与完成时间：2021年10月，湖南景新环保科技有限责任公司编制完成了《株洲中车时代半导体有限公司碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目环境影响报告表》，并已获得株洲市生态环境局石峰分局对本项目的环评批复（审批号：株石环评表[2021]35号），已批复产能为年产2.5万片6英寸晶圆，包含新能源汽车用的碳化硅（SiC）MOSFET、轨道交通牵引变流器用的碳化硅（SiC）SBD和MOSFET、以及未来发展开发沟槽栅碳化硅（SiC）MOSFET（沟槽栅SiC MOS）。
 开工、竣工、调试时间：项目于2021年11月开始动工实施，2023年5月建设完成，并完成初步调试工作进入试生产运行。
申领排污许可证情况：株洲中车时代半导体有限公司同步进行了排污许可证重新申请，并于2023年9月12日取得了排污许可证。
验收范围与内容：本次阶段验收只针对碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目包含的新能源汽车用碳化硅（SiC）MOSFET 芯片产业化项目进行验收，对应产能为2万片/年。